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二极管有什么特征

外加正向电压时,在正向特征的肇始局部,正向电压很小,不敷以克制PN结内电场的拦截作用,正向电流简直为零,这一段称为去世区。这个不克不及使二极管导通的正向电压称为去世区电压。当正向电压大于去世区电压当前,PN结内电场被克制,二极管正导游通,电流随电压增大而敏捷上升。在正常利用的电流范畴内,导通时二极管的端电压简直维持稳定,这个电压称为二极管的正向电压。当二极管两头的正向电压凌驾肯定数值,内电场很快被减弱,特征电流敏捷增加,二极管正导游通。

叫做门坎电压或阈值电压,硅管约为0.5V,锗管约为0.1V。硅二极管的正导游通压降约为0.6~0.8V,锗二极管的正导游通压降约为0.2~0.3V。

反向性

外加反向电压不凌驾肯定范畴时,经过二极管的电流是多数载流子漂移活动所构成反向电流。由于反向电流很小,二极管处于停止形态。这个反向电流又称为反向饱和电流或泄电流,二极管的反向饱和电流受温度影响很大。一样平常硅管的反向电流比锗管小得多,小功率硅管的反向饱和电流在nA数目级,小功率锗管在μA数目级。温度降低时,半导体受热引发,多数载流子数量增长,反向饱和电流也随之增长。

击穿

外加反向电压凌驾某一数值时,反向电流会忽然增大,这种征象称为电击穿。惹起电击穿的临界电压称为二极管反向击穿电压。电击穿时二极管得到单导游电性。假如二极管没有因电击穿而惹起过热,则单导游电性纷歧定会被毁坏,在撤消外加电压后,其功能仍可规复,不然二极管就破坏了。因此利用时应制止二极管外加的反向电压过高。

二极管是一种具有单导游电的二端器件,有电子二极管和晶体二极管之分,电子二极管由于灯丝的热消耗,服从比晶体二极管低,以是现已很少见到,比力罕见和常用的多是晶体二极管。二极管的单导游电特征,简直在一切的电子电路中,都要用到半导体二极管,它在很多的电路中起偏重要的作用,它是降生很早的半导体器件之一,其使用也普遍。

二极管的管压降:硅二极管(不发光范例)正向管压降0.7V,锗管正向管压降为0.3V,发光二极管正向管压降会随差别发光颜色而差别。次要有三种颜色,详细压降参考值如下:白色发光二极管的压降为2.0--2.2V,黄色发光二极管的压降为1.8—2.0V,绿色发光二极管的压降为3.0—3.2V,正常发光时的额外电流约为20mA。

二极管的电压与电流不是线性干系,以是在将差别的二极管并联的时分要接相顺应的电阻。

特征曲线

与PN结一样,二极管具有单导游电性。硅二极管典范伏安

特征曲线(图)。在二极管加有正向电压,当电压值较小时,电流极小;当电压凌驾0.6V时,电流开端按指数纪律增大,通常称此为二极管的开启电压;当电压到达约0.7V时,二极管处于导通形态,通常称此电压为二极管的导通电压,用标记UD表现。

关于锗二极管,开启电压为0.2V,导通电压UD约为0.3V。在二极管加有反向电压,当电压值较小时,电流极小,其电流值为反向饱和电流IS。当反向电压凌驾某个值时,电流开端急剧增大,称之为反向击穿,称此电压为二极管的反向击穿电压,用标记UBR表现。差别型号的二极管的击穿电压UBR值差异很大,从几十伏到几千伏。

反向击穿

齐纳击穿

反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种状况。在高掺杂浓度的状况下,因势垒区宽度很小,反向电压较大时,毁坏了势垒区内共价键布局,使价电子离开共价键约束,发生电子-空穴对,致使电流急剧增大,这种击穿称为齐纳击穿。假如掺杂浓度较低,势垒区宽度较宽,不容易发生齐纳击穿。

雪崩击穿

另一种击穿为雪崩击穿。当反向电压增长到较大数值时,外加电场使电子漂移速率加速,从而与共价键中的价电子相碰撞,把价电子撞出共价键,发生新的电子-空穴对。新发生的电子-空穴被电场减速后又撞出别的价电子,载流子雪崩式地增长,致使电流急剧增长,这种击穿称为雪崩击穿。无论哪种击穿,若对其电流不加限定,都大概形成PN结破坏。


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